内存超频时序最佳参数

超频技术之内存“时序”重要参数设置解说

tRP : Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8” 内存 时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示" 内存 行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则 内存 读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数 内存 都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失， 内存 控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR 内存 的读写性能，从而降低性能。