topcon与perc工艺区别
TOPCon与PERC工艺的主要区别在于：
1. TOPCon增加了制作隧穿氧化层和多晶硅核心结构的工艺设备，一般会增加LPCVD或PECVD设备，并配套扩散或退火炉。衬底硅片导电型变为N型后，电池前表面由磷扩散变为硼扩散，工艺会有所调整但设备不变。
2. TOPCon的工序数量为12道工序，而PERC的工序数量为11道工序。
3. 在兼容性方面，TOPCon和PERC的主要部分兼容，只需要加两三台设备，而HJT基本不兼容。
4. 设备投资方面，TOPCon的投资为2.5亿/GW，而PERC的投资为1.8亿/GW。
5. 组件价格方面，TOPCon有5%的溢价，而HJT有10%溢价。
此外，最高理论效率方面，单面TOPCon为27.1%，双面TOPCon为28.7%，而PERC电池的最高理论效率为24.5%。在实际应用中，TOPCon的产线名义效率为24.5%，而PERC的产线名义效率为23%。
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